新潔能提供擊穿電壓等級范圍為25V至150V的N溝道Super Trench Gen.3系列功率MOSFET 產(chǎn)品，其超低的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）與超低柵極電荷（Q_g）的特點，結(jié)合先進輕巧緊湊的封裝進一步提高了系統(tǒng)的功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率。

同時，面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應(yīng)用，新潔能N溝道Super Trench Gen.3系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化了大電流關(guān)斷能力、反向恢復(fù)過流能力、靜電防護能力，可滿足包括直流電機驅(qū)動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等廣泛應(yīng)用。此外，相比于新潔能上一代Super Trench Gen.2系列產(chǎn)品，Super Trench Gen.3系列產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻R_on.sp 降低30%，F(xiàn)OM值降低30%，為設(shè)計人員進一步提高系統(tǒng)效率提供了更優(yōu)的選擇。

注：“Super Trench MOSFET”又稱“SGT MOSFET”。 

以100V SGT為例，Gen.3產(chǎn)品相對Gen.1 R_sp（特征導(dǎo)通電阻）降低56%，相對Gen.2 R_sp降低34%。

100V SGT代表產(chǎn)品與競品參數(shù)對比

以一款100V/120A SGT Gen.3產(chǎn)品為例，基于72V 12管二輪電動車控制器電路，相同外圍條件，與主流競品對比做堵轉(zhuǎn)測試，100V Gen.3產(chǎn)品相對競品米勒振蕩大幅降低，系統(tǒng)穩(wěn)定性提升。

SGT Gen.3 控制器波形_堵轉(zhuǎn)

主流競品 控制器波形_堵轉(zhuǎn)

以150V SGT為例，基于雙脈沖測試平臺，Gen.3相對Gen.1和主流競品RRSOA（反向恢復(fù)安全工作區(qū)）提升1倍以上。

備注：測試設(shè)備極限電流能力為430A

雙脈沖測試電路圖

雙脈沖測試平臺

Super Trench Gen.3命名規(guī)則

Super Trench Gen.2命名規(guī)則

Super Trench Gen.1命名規(guī)則